‌ висока літографія EUV: просування виробництва напівпровідників

Mar 23, 2025 Залишити повідомлення

Екстремальна ультрафіолетова (EUV) Літографія стала ключовою у виробництві менших, більш потужних мікрочіпів. Промисловість переходить у високі числові діафрагми (високі NA) системи EUV, які пропонують числову діафрагму {{0}}. 55 порівняно зі стандартним 0,33 NA. Цей прогрес дозволяє більш тонкому малюнку, не покладаючись на складні методи мультипатернінгу, позиціонування високих Na EUV як важливих для мікропроцесорів нового покоління, мікросхем пам'яті та вдосконалених компонентів.
 

‌Прорив у роздільній здатностіnews-1879-1177‌
Нещодавно ASML продемонстрував віху, надрукувавши 10 нм щільних ліній-найменший коли-небудь досягнутий його високий сканер Na EUV у Велдховені, Нідерланди. Це досягнення супроводжувалося початковою калібруванням оптики, датчиків та етапів системи. Можливість виробляти такі схеми високої роздільної здатності значний прогрес у напрямку комерційного розгортання, що потенційно прискорює мініатюризацію мікросхем.

 

‌Раннє прийняття галузі‌
Intel Foundry, виробнича рука Intel, стала першим, хто зібрав комерційний інструмент високого рівня NA EUV на своєму закладі в Орегоні. Сканер спрямований на підвищення точності та масштабованості для напівпровідників та майбутніх технологій, орієнтованих на AI. Intel планує інтегрувати дві високі системи NA у свій вузол 18A до 2025 року, з додатковими одиницями, запланованими на свій вузол 14A у 2030 -х роках. Звіти вказують, що Intel замовив п'ять сканери від ASML.

Тим часом, очікується, що TSMC встановить свій перший високий інструмент NA EUV у 2025 році, визначивши пріоритет НДДКР перед масовим виробництвом пізніше десятиліття. Незважаючи на високу вартість (~ 350 мільйонів доларів за одиницю), обмежені продажі ASML (сім проданих нещодавно) відображають стратегічне прийняття. Аналітики прогнозують установи принесуть POST -2025, з 10–20 замовленнями, що очікуються до середини десятиліття.

news-1152-716

‌Спільні інновації‌
У той час як ASML залишається єдиним постачальником високого NA EUV, партнерські стосунки мають вирішальне значення для оптимізації його використання. Carl Zeiss SMT розробив розширену оптику для сканерів ASML, включаючи більші дзеркала для використання збільшення захоплення світла. Висока оптична система Na включає 25, 000 компоненти, з проекційною оптикою вагою 12 тонн та системами освітлення в 6 тонн. Ці вдосконалення дозволяють точності на рівні нанометра для функцій мікросхеми Sub -10 NM.

Нещодавно IMEC BELGIUM отримав доступ до повного інструменту ASML для вивчення процесів Sub -2 нм, кремнієвої фотоніки та вдосконаленої упаковки. Дві організації також запустили спільну лабораторію у Вельдховені, пропонуючи виробників букваків на ранню експозицію на сканери прототипу. Основні сфери досліджень включають:

Нові матеріали протистояти/нижній шнур

Високоточні фотомази

Методи метрології/інспекції

Оптимізація зображень

Методи травлення та корекція близькості

 

‌Прогноз ринку‌
Високе прийняття NA EUV узгоджується з поштовхом напівпровідникової галузі до вузлів масштабу Angstrom. Незважаючи на те, що початкові витрати та технічні виклики залишаються, очікується, що переваги технології, що мають широке прийняття до кінця 2025 року. Оскільки Intel, TSMC та інші інтегрують ці системи, High Na EUV готовий переосмислити виробництво мікросхем для AI, HPC та за її межами.

Послати повідомлення

whatsapp

Телефон

Електронна пошта

Розслідування